简答题受主杂质电离、施主杂质电离、本征激发后分别向半导体提供（）。 A、电子和空穴、空穴、电子 B、电子、电子和空穴、空穴 C、电子、空穴、电子和空穴 D、空穴、电子、电子和空穴简答题本征半导体是指（）的半导体。 A、不含杂质和缺陷 B、电阻率最高 C、电子密度和空穴密度相等 D、电子密度与本征载流子密度相等简答题与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。 A、比绝缘体的大 B、比绝缘体的小 C、和绝缘体的相同简答题在热平衡状态时，P型半导体的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关。 A、杂质浓度和温度 B、温度和禁带宽度 C、杂质浓度和禁带宽度 D、杂质类型和温度简答题对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减少掺杂浓度，费米能级会（）。 A、上移 B、下移 C、不变简答题在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）。 A、在禁带中线处 B、靠近导带底 C、靠近价带顶 D、以上都不是简答题半导体的晶格结构类型包括哪些（）。 A、金刚石型 B、闪锌矿型 C、纤锌矿型 D、石墨型简答题对应于P型半导体，平衡状态时，多子、少子和本征载流子之间相互关系为（）。 A、n0>p0>ni B、p0>n0>ni C、p0>ni>n0 D、n0>ni>p0简答题如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。 A、施主 B、复合中心 C、陷阱 D、两性杂质简答题在硅、锗中掺杂Ⅲ族元素，以下描述正确的是（）。 A、Ⅲ族元素在硅、锗中电离过程接受电子 B、Ⅲ族元素在硅、锗中电离产生导电空穴 C、Ⅲ族元素在硅、锗中电离后并形成正电中心 D、此类杂质半导体为依靠价带空穴导电的P型半导体