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电子材料性能
第五章 半导体材料
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简答题
对应于P型半导体，平衡状态时，多子、少子和本征载流子之间相互关系为（）。
A、n0>p0>ni
B、p0>n0>ni
C、p0>ni>n0
D、n0>ni>p0
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简答题
受主杂质电离、施主杂质电离、本征激发后分别向半导体提供（）。 A、电子和空穴、空穴、电子 B、电子、电子和空穴、空穴 C、电子、空穴、电子和空穴 D、空穴、电子、电子和空穴
简答题
本征半导体是指（）的半导体。 A、不含杂质和缺陷 B、电阻率最高 C、电子密度和空穴密度相等 D、电子密度与本征载流子密度相等
简答题
与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。 A、比绝缘体的大 B、比绝缘体的小 C、和绝缘体的相同
简答题
在热平衡状态时，P型半导体的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关。 A、杂质浓度和温度 B、温度和禁带宽度 C、杂质浓度和禁带宽度 D、杂质类型和温度
简答题
对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减少掺杂浓度，费米能级会（）。 A、上移 B、下移 C、不变
简答题
在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）。 A、在禁带中线处 B、靠近导带底 C、靠近价带顶 D、以上都不是
简答题
半导体的晶格结构类型包括哪些（）。 A、金刚石型 B、闪锌矿型 C、纤锌矿型 D、石墨型
简答题
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。 A、施主 B、复合中心 C、陷阱 D、两性杂质
简答题
在硅、锗中掺杂Ⅲ族元素，以下描述正确的是（）。 A、Ⅲ族元素在硅、锗中电离过程接受电子 B、Ⅲ族元素在硅、锗中电离产生导电空穴 C、Ⅲ族元素在硅、锗中电离后并形成正电中心 D、此类杂质半导体为依靠价带空穴导电的P型半导体
电子材料性能
章节列表
第一章 电子材料概论
3
第五章 半导体材料
10
第二章 薄膜和厚膜工艺
32
第三章 导电材料与电阻材料
35
第四章 超导材料
13
第六章 电介质材料
18
第七章 磁性材料
28
第八章 光电材料
34
第九章 敏感材料与器件
6
期末考试
30