大学网课搜题引擎
首页
学堂在线
电子材料性能
第三章 导电材料与电阻材料
题目详情
简答题
ZnO:Al由于无毒、储量丰富等性能优于ITO。
A、正确
B、错误
查看答案与解析
简答题
一定条件下电阻率近似与铬含量成指数关系，故铬含量约高性能越好。 A、正确 B、错误
简答题
经典自由电子理论推导的电子气对金属热容的贡献与实验相符 A、正确 B、错误
简答题
Pd-Ag电阻在还原性气氛下阻值会大幅度降低，钌系厚膜电阻可在大气中烧成。 A、正确 B、错误
简答题
纯金属的电阻率随温度的升高而 （） A、增大 B、减小 C、不变 D、增大或减小
简答题
导体膜与基片的键合主要类型有（） A、玻璃键合 B、氧化物键合 C、玻璃氧化物混合键合 D、离子键合
简答题
钛-钯-金薄膜结构中钛的作用是（） A、导电 B、粘附 C、阻止扩散 D、降低成本
简答题
膜电阻不是一个常数，随（）而变化。 A、长度 B、宽度 C、厚度 D、电阻率
简答题
贵金属Ag导体浆料可以通过添加适量Pd改善其迁移问题。
简答题
材料的电导率取决于 A、所带电荷 B、载流子类型 C、迁移率 D、载流子浓度
简答题
在能带理论中，哪种状态可以导电 A、满带 B、空带 C、部分占据
简答题
采用哪种制备工艺，镍铬合金会出现分馏现象 A、溅射法 B、真空蒸发法 C、升华蒸发法 D、瞬间快速蒸发法
简答题
所有材料的电阻值总是期望随温度的变化越小越好。 A、正确 B、错误
简答题
半导体的电阻率随温度的升高一般呈()趋势。 A、增大 B、减小 C、不变 D、增大或减小
简答题
离子晶体中的缺陷对电导有一定贡献 A、正确 B、错误
简答题
Pd-Ag贵金属电阻浆料常用电阻的范围是（） A、小于1Ω/(□/25.4um) B、大于100kΩ/(□/25.4um) C、几Ω/(□/25.4μm)~100kΩ/(□/25.4μm
简答题
贵金属导体浆料Au的粘接类型只有玻璃型。 A、正确 B、错误
简答题
贵金属导体浆料Ag在使用中的主要问题是（） A、导电性差 B、成本高 C、银离子迁移 D、润湿性差
简答题
复合薄膜导电材料结构中起导电作用的是（） A、顶层 B、中间层 C、底层 D、粘附层
简答题
镍铬-铜-钯-金结构中铜的主要作用是（） A、导电 B、粘附 C、阻止扩散 D、降低成本
简答题
如何改善Au导体附着性问题 A、加入Pt B、加入Pd C、制成无釉导体 D、添加Bi2O3
电子材料性能
章节列表
第一章 电子材料概论
3
第五章 半导体材料
10
第二章 薄膜和厚膜工艺
32
第三章 导电材料与电阻材料
35
第四章 超导材料
13
第六章 电介质材料
18
第七章 磁性材料
28
第八章 光电材料
34
第九章 敏感材料与器件
6
期末考试
30
ZnO:Al由于无毒、储量丰富等性能优于ITO。 A、正确 B、错误 - 第三章 导电材料与电阻材料 - 电子材料性能 - 学堂在线 | 大学网课搜题引擎