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电子材料性能
期末考试
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简答题
半导体的内建电场场强由 [填空1] 区指向[填空2] 区
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简答题
半导体的电阻率随温度的升高一般呈()趋势。 A、增大 B、减小 C、不变 D、增大或减小
简答题
溅射法相比蒸发法制得的薄膜成分更均匀 A、正确 B、错误
简答题
低温低损伤沉积的CVD方法是（） A、PECVD B、光CVD C、热CVD D、MOCVD
简答题
镍铬合金中铬含量大于60%时电阻率急剧增加，所以铬含量越多越好 A、正确 B、错误
简答题
Pd-Ag浆料因制备高阻和低阻较为困难限制了其应用 A、正确 B、错误
简答题
pn结的击穿主要分为[填空1]、 [填空2] 和[填空3] 三种类型
简答题
本征吸收要求光子的能量 [填空1] 半导体的禁带宽度。
简答题
非牛顿流体均可用作厚膜浆料 A、正确 B、错误
简答题
真空各区域的气体分子运动性质各不相同 A、正确 B、错误
简答题
磁性靶材溅射时，可采用以下方法提高沉积速率（） A、加强磁场 B、加强电场 C、靶材减薄 D、靶材对向布置
简答题
Au-Pd系导体浆料的开发是为了解决Au导体（）的问题。 A、导电性 B、成本 C、附着性 D、焊接性
简答题
半导体在方向相互垂直的电场与磁场作用下，产生的横向电势差的效应称为[填空1] ，由其制成的半导体器件称为[填空2]。
简答题
光刻技术是一种加法工艺 A、正确 B、错误
简答题
决定浆料电性能的组成是（） A、功能相 B、粘接相 C、有机溶剂 D、表面活化剂
简答题
对于非简并杂质半导体，随着掺杂浓度的增加，电阻率下降。 A、正确 B、错误
简答题
在蒸发沉积中，薄膜材料的纯度与哪些因素相关（） A、蒸发原料 B、真空度 C、蒸发源 D、源基距
简答题
铜合金比纯金属具有更好的机械性能，并且电导率高 A、正确 B、错误
简答题
霍尔效应中，在与电流垂直的方向加磁场后，半导体的电阻降低。 A、正确 B、错误
简答题
薄膜导电材料的电阻率高于同种块状材料的电阻率 A、正确 B、错误
简答题
塞贝克效应的半导体环路中，当电流的方向改变时，放热和吸热的接头也随之改变 A、正确 B、错误
电子材料性能
章节列表
第一章 电子材料概论
3
第五章 半导体材料
10
第二章 薄膜和厚膜工艺
32
第三章 导电材料与电阻材料
35
第四章 超导材料
13
第六章 电介质材料
18
第七章 磁性材料
28
第八章 光电材料
34
第九章 敏感材料与器件
6
期末考试
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