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电子材料性能
第二章 薄膜和厚膜工艺
题目详情
简答题
可以采用哪种方法进行化合物半导体的制备（）
A、直流溅射
B、磁控溅射
C、射频溅射
D、反应溅射
查看答案与解析
简答题
最高烧成温度一般高于玻璃软化点（）℃ 左右 A、100 B、200 C、350 D、400
简答题
可以使用一种泵直接从大气一直工作到超高真空 A、正确 B、错误
简答题
以下哪种CVD沉积会引起薄膜损伤 A、光CVD B、PECVD C、热CVD D、MOCVD
简答题
当浆料印到基板上后，浆料应像液体一样具有很好的流动性 A、正确 B、错误
简答题
溶剂挥发主要发生在哪个阶段 A、氧化阶段 B、还原反应阶段 C、低温预热阶段 D、膜层凝固阶段
简答题
靶中毒易发生在哪种溅射技术中 A、直流溅射 B、磁控溅射 C、射频溅射 D、反应溅射
简答题
电子束蒸发相比电阻蒸发具有的优点有（） A、蒸发难熔金属 B、污染小 C、热效率高
简答题
有机载体参与厚膜的组成 A、正确 B、错误
简答题
浆料的流变特性主要通过（）调节 A、功能相 B、粘接相 C、有机载体 D、切应力
简答题
直流溅射可以用来溅射金属、化合物等靶材 A、正确 B、错误
简答题
热CVD可以在耐热性较差的基片上成膜 A、正确 B、错误
简答题
干燥时升温速率越快越好 A、正确 B、错误
简答题
哪个情况可能会导致厚膜中产生气孔 A、烧成温度过高 B、烧结气氛 C、增长保温时间 D、降温速率提高
简答题
丝网印刷的过程中，浆料流变性始终保持不变
简答题
印刷后，可直接把浆料置于烘干工艺处理 A、正确 B、错误
简答题
玻璃软化温度高，则烧结温度高 A、正确 B、错误
简答题
厚膜浆料一般是哪一类的流体 A、塑流型 B、触变型 C、涨流型 D、牛顿型
简答题
CVD过程中，化学反应只发生在固体表面 A、正确 B、错误
简答题
可以通过溅射的方法对材料的成分进行分析 A、正确 B、错误
简答题
磁控溅射相比直流、射频溅射的优点有（） A、低损伤 B、高沉积速率 C、低温 D、系统简单
电子材料性能
章节列表
第一章 电子材料概论
3
第五章 半导体材料
10
第二章 薄膜和厚膜工艺
32
第三章 导电材料与电阻材料
35
第四章 超导材料
13
第六章 电介质材料
18
第七章 磁性材料
28
第八章 光电材料
34
第九章 敏感材料与器件
6
期末考试
30
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