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电子线路
第1章 半导体器件基础
题目详情
简答题
NPN和PNP型晶体管的区别取决于____。
A、半导体材料硅和锗的不同
B、掺杂元素的不同
C、掺杂浓度的不同
D、P区和N区的位置不同
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简答题
随着温度升高，晶体管的电流放大系数____。 A、增大 B、 减小 C、不变 D、与温度无关
简答题
在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大 B、减小 C、不变 D、无规律变化
简答题
当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。 A、大于 B、小于 C、等于 D、B和C
简答题
P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子 B、带正电的离子 C、三价元素，如硼等 D、五价元素，如磷等
简答题
(15) 晶体三极管具有两个PN结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。（ ） A、正确 B、错误
简答题
(20) 场效应管的跨导。（ ） A、正确 B、错误
简答题
(10) PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ） A、正确 B、错误
简答题
(19) 晶体管的输入电阻是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。（ ） A、正确 B、错误
简答题
N沟道和P沟道场效应管的区别在于____。 A、衬底材料前者为硅，后者为锗； B、衬底材料前者为N型，后者为P型； C、导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴。 D、衬底材料前者为N型，后者也为N型
简答题
在如图所示的电路中，当时，测得,。当U降至3V时，则I将为____。 A、小于1mA B、1mA C、大于1mA，但小于2mA D、2mA
简答题
在如图所示的电路中，当时，测得，。保持U不变，温度下降20℃，则将为____。 A、小于0.7V B、0.7V不变 C、大于0.7V D、与温度无关
简答题
随着温度升高，穿透电流____。 A、增大 B、减小 C、不变 D、与温度无关
简答题
(2) 半导体中的空穴是电子脱离共价键后留下的空位。（ ） A、正确 B、错误
简答题
(1)半导体中的空穴是半导体中的晶格缺陷形成的。（ ） A、正确 B、错误
简答题
(5) 本征半导体在温度升高后，自由电子和空穴数目都不变。（ ） A、正确 B、错误
简答题
在____中，空穴浓度等于电子浓度。 A、本征半导体 B、P型半导体 C、N型半导体 D、不存在
简答题
(12) 稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（ ）。 A、正确 B、错误
简答题
(3) 半导体中的空穴是带正电的离子。（ ） A、正确 B、错误
简答题
随着温度升高，在不变的情况下b-e结电压____。 A、增大 B、减小 C、不变 D、与温度无关
简答题
(13) 稳压管是一种特殊的二极管，不允许工作在正向导通状态（ ）。 A、正确 B、错误
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章节列表
第1章 半导体器件基础
41
第2章 放大器基础
49
第3章 集成运算放大器与模拟乘法器
41