简答题在____中，空穴浓度小于电子浓度。 A、P型半导体 B、N型半导体 C、本征半导体 D、不存在简答题当PN结外加正向电压时，耗尽层 。 A、变窄 B、变宽 C、不变 D、不存在简答题在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____。 A、增大 B、减小 C、不变 D、无规律变化简答题(6) 本征半导体在温度升高后，自由电子和空穴数目都增加，但增量相同。（ ） A、正确 B、错误简答题当PN结外加反向电压时，耗尽层 。 A、变宽 B、变窄 C、不变 D、不存在简答题当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。 A、小于 B、大于 C、等于 D、A和C简答题已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得。当R从10kΩ 减小至5kΩ 时，I将____。 A、为2μA 左右 B、为0.5μA 左右 C、变化不大 D、远大于2μA简答题(18) h参数等效电路法和图解法都能求解电路的静态工作点。（ ） A、正确 B、错误简答题在____中，空穴浓度大于电子浓度。 A、P型半导体 B、本征半导体 C、N型半导体 D、不存在简答题已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得。保持U和R不变，温度下降10℃，I将____。 A、为2μA 左右 B、 为0.5μA 左右 C、变化不大 D、远大于2μA简答题设某二极管在正向电流ID＝10mA时，其正向压降UD＝0.6V。在UD保持不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，ID将____。 A、小于10mA B、大于10mA C、等于10mA D、不存在简答题(9) 由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。（ ） A、正确 B、错误简答题(21) 场效应管的跨导 A、正确 B、错误简答题(8) 在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。（ ） A、正确 B、错误简答题(11) PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。（ ） A、正确 B、错误简答题(16) 测出某晶体管的共基电流放大系数小于1，表明该管子没有放大能力。（ ） A、正确 B、错误简答题(4) 本征半导体是指没有掺杂的纯净半导体。（ ） A、正确 B、错误简答题(17) h参数模型可以用于输入为小信号、输出为大信号的情况。（ ） A、正确 B、错误简答题(14) 由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。（ ） A、正确 B、错误简答题(7) 掺杂半导体因含有杂质，所以在制造半导体器件时是没有用处的。（ ） A、正确 B、错误